氮化镓干法刻蚀研究进展

摘要：对比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等几种ＧａＮ７干法刻蚀方法的特点。回顾了ＧａＮ１法刻蚀领域的研究进展。以ＩＣＰ刻蚀ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料为例，通过工艺参数的优化，得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下ＧａＮ材料刻蚀速率达到３４０ｎｍ／ｍｉｎ，侧墙倾斜度大于８Ｏ。且刻蚀表均方根粗糙度小于３ｎｍ。对引起干法刻蚀损伤的因索进行了讨论，并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法。