标题: SiC单晶材料加工工艺研究进展 [打印本页] 作者: 风轻扬 时间: 2015-7-12 19:25 标题: SiC单晶材料加工工艺研究进展 SiC单晶材料加工工艺研究进展
Recent Progress in Machining Process of SiC Single Crystal
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作 者：肖强[1] 何雪莉[2]
XIAO Qiang1, HE Xueli2 （1 School of Mechanical and Electronic Engineering, Xi＇an Technological University, Xi＇an 710032; 2 Shaanxi Normal University, Xi＇an 710062）
机构地区：[1]西安工业大学机电工程学院,西安710032 [2]陕西师范大学,西安710062
出 处：《材料导报》 CSCD 2014年第28卷第1期 6-10页,共5页
Materials Review
基 金：陕西省教育厅项目资助（12JK0664）;陕西省特种加工重点实验室资助（13JS044）;校长基金项目（XAGDXJJ1007）;陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室访问学者专项计划项目
摘 要：SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料,其特有的晶体结构及高的材料硬度使其加工过程成为难点,突出表现为加工效率低、表面质量不稳定等问题,因此SiC单晶片的高效低损伤加工技术成为研究的焦点.介绍了SiC单晶材料去除机理,总结了高效精密加工SiC单晶的工艺现状及发展趋势,这对于提高SiC单晶片加工技术和应用水平有重要的理论意义和实用价值.
SiC single crystal is an important third generation of semiconductor materials.However,as a typical material difficult to machine,there is no mature machining technology for SiC single crystal.High efficient and low damage machining technology has become the main obstacle for its industrial application.The material remo-val mechanism of SiC single crystal is analyzed in detail and new machining processes are summarized.The problems that still exist by now are pointed out and the development tendency is discussed.They have great theoretical significance and applied value to promote the application of SiC single crystal in the semiconductor field.
关键词：SiC单晶 精密磨削 化学机械抛光 表面质量
SiC single crystal ; fine grinding ; chemomechanical polishing ; surface quality ;
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