在制造资料中,通常光强作为LED的方向输出衡量标准的参数之一标出。不幸的是,在很多情况下,这个术语使用不正确,并且不是一个如4.2.1中所定义的真实的光强。 实际使用的程序是为了从LED的测量距离测量探测器上的通量干扰,并通过按照正对着的距离划分探测器区域来计算连续的角度。因为经常要在相对短的距离中进行测量,在很多情况中,与到探测器的距离相比LED的发射区域可能足够大,可看作一个扩展的区域而不是一个点光源。这就是上面所述的“近地”条件。也有可能,如果探测器里光源太近,当从探测器表面的不同部分区观看,真实的光强值可能会变化。 在LED测量的真实世界很常见的情况中,用传统的方式测量的工程量并不是强度而表示一种平均强度的形式;平均适用于不同独立的元素,这些元素构成了LED的发射表面的扩展区域和遍及探测器表面的不同部分。不幸的是,区别并不是对定义的准确用词的吹毛求疵,而是存在一个真实的问题,这种情况下,测量的结果和测量值的适用性严重地依赖于准确的测量条件。为了不同产品之间以及不同制造厂商的相似产品的对照,赞同和定义一个精确的可用于很广泛的LEDs的测量几何图形很重要。 在为了解决这个问题的一次尝试中,CIE决定采用明确的针对LED测量的新的术语来描述这样的近地条件下测量的工程量并定义与之相关的两个标准测量几何图形。这两个测量几何图形是建立在现在的工业实践和LEDs的生产商和使用者的观点的基础上。 新的术语叫做平均LED强度。 (平均 LED 光照强度或者平均LED辐射强度). 这样的测量几何图形将被称为LEDs测量的CIE标准条件A 和 B。对于在这些条件下决定的平均LED强度,建议采用符号ILED A 和/LED B 。它们可用于辐射度的或者光度测定的工程量 (例如 ILED A e• /LED B v)。 两种条件都要用到带有一个环形入口孔的探测器,其孔面积为100mm2(即直径为11.3mm)。要将LED 面向探测器放置, 以便L E D的机械轴线穿过探测器孔的中心。构成条件A和B之间的距离就是LED和探测器之间的距离,此距离分别为: 对于 CIE 标准条件 A: 316 mm,和 对于 CIE 标准条件 B: 100 mm. 在两种情况下,都是从LED的前端到光度测量仪或者辐射度测量仪的入口孔平面测量距离的。 对于照明来说,如果探测器已经被校准,平均LED强度可以从下面的关系计算得到: ILED v = EV · d2 这里 EV 为用lx计量的平均照度,d为距离,单位m。对于条件A, d = 0.316 m ,对于条件B, d= 0.100 m. 这些条件相当于视角0.001sr(条件A)和0.01sr(条件B),但是实际的尺寸和确认的相符的结果中的角度同样重要。相等的角度大约为2°(条件A) 和6,5° (条件 B)。 图 7. CIE标准条件下对于平均LED强度测量的示意图。 对于条件A , 距离d=0.316 m, 对于条件B,d = 0.100 m. Jeti 1401是一个根据CIE 第127 规定,测量LED 发光平均强度的可见光光谱辐射计。 这款产品使用了一个根据CIE-127的A/B条件测试管,A/B条件可自由切换。使用成熟的软件设计,使LED的发光强度、亮度、照度结合在一起。是一台多功能的分光辐射计。
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