光电工程师社区

标题: 紧急求助!!!!! [打印本页]

作者: huafei920    时间: 2005-11-20 12:49
标题: 紧急求助!!!!!
我在做实验过程中发现如下现象: 扩散后硅片的少子寿命还比较正常的,有的时候氧化后的少子寿命只有扩散后的一半,有的时候差不多,有的时候比扩散后还要高,请问这是什么原因????谢谢!




欢迎光临 光电工程师社区 (http://bbs.oecr.com/) Powered by Discuz! X3.2