东芝、英特尔和三星共同进行技术开发，日本能在EUV掩模和光刻胶方面发挥优势吗？

　《日本经济新闻》2010年10月29日的晨报上曾报导，“东芝将携手美国英特尔以及韩国三星电子共同开发新一代半导体的生产技术”。这被认为是经济产业省正在投入预算的“实现低碳社会的超低电量元件项目”的关联报道。在该项目中，作为10nm级别的微细化技术，目标是开发面向EUV（极紫外线）曝光的掩模相关评测技术以及光刻胶评测技术。

　　目前，在EUV掩模方面，日本半导体尖端技术公司（Selete）作为MIRAI项目第3期的课题，正在进行相关技术的开发。另外，Selete还采用小面积EUV曝光装置“SFET（Small Field Exposure Tool）”以及全区域（Full Field）EUV曝光装置“EUV1”，进行光刻胶材料以及工艺技术等开发。由于这些项目将在2011年3月完成，考虑在此之后将实际启动上述的“实现低碳社会的超低电量元件项目”。

　　由于实现低碳社会的超低电量元件项目的实施母体将通过公开招募产生，因此目前还没有确定，不过半导体业界中有很多“期待东芝、英特尔以及三星电子加入”的呼声。这是因为，瑞萨电子和富士通半导体已从基于最尖端工艺的生产行列退出，很多人认为，只寄望于国内厂商就无法实现在全球范围内的通用。实际上，经济产业省也认为，“此次的项目不应该仅以封闭在国内的形式开展”。

　　此次项目的关键所在，与其说是元件厂商，不如说是掩模厂商、光刻胶材料厂商以及装置厂商等。在掩模、光刻胶材料以及装置技术等方面，日本在全球范围内拥有高超的技术实力。可以说，这样的企业加入该项目，可以获得世界顶级元件厂商的评价，这一点是至关重要的。

　　另外，在重要的EUV光源方面，迄今为止，国内的EUVA（极紫外线曝光系统技术开发机构）已开发出先进的技术。EUVA的项目也将在2011年3月完成。今后，牛尾电机和小松制作所的合资公司Gigaphoton等将作为民营企业进行开发。此外，EUV曝光装置方面，在荷兰ASML公司的引领下，今后尼康将作出怎样的举措也将引起广泛关注。（日经BP社 记者：木村 雅秀）