高密度铁电阻变存储器（Ferro-RRAM）研究获重大进展

由复旦大学信息科学与工程学院微电子学系江安全教授率领的研究团队与国内外专家合作，成功研制出一种新型存储器，不仅读写速度更快、可靠性更强，体积也更小。据悉，该新型存储器将比 现在广泛使用的闪存硬盘速度快106倍。同时，存储量也大大提升。

据介绍，江安全教授带领的研究小组与中科院物理所、首尔大学、剑桥大学等合作，在高密度铁电阻变存储器（Ferro-RRAM）研究中取得重大进展。这也就意味着，在存储器领域中，读写速度更快、可靠性更强、体积更小的存储器有望诞生，其原理已经取得实验证实。

据江安全教授介绍，铁电存储器最大的优点在于读写速度快，相比现在广泛使用的闪存硬盘以毫秒为单位的运转速度，铁电存储器可以达到几十纳秒，快106倍，可广泛应用于高性能移动数字设备和电脑，大大提升读写数据的效率。

在容量方面，江安全教授介绍，正是由于铁电变阻器在“高密度”研究方面的成功突破，使得它单位体积内的存储容量比现有的电容存储器等有了巨大的提升空间。除了信息高密度存储和快速擦写特性，铁电存储器还具备电压低、成本低、损耗低、体积小的优点，具有极大的产业化潜力，尤其是在电子标签、移动电话、公交卡、随身听、游戏卡和数码相机等耗电少的电子产品中，将率先得到应用和发展。对数码相机而言，如果存储器所需电压较高，电池就得做大，否则电力无法持久，铁电存储器就可实现低电压条件。在电子标签领域，也就是我们所熟悉的“条形码”，使用铁电存储器可大大节省结账时间，原本需逐一扫描的条形码可以成批同时扫描，这些都将更加便利我们的生活。

目前，相关研究成果已在材料类国际顶级刊物《Advance.Material.》杂志上发表，并已申请基于该原形器件工作原理的两项国内发明专利和一项国际专利，为其今后的产业化进程奠定了基础。