求教：半导体激光器

1.激光器芯片有Alpha和Beta之分吗？
2.LD的波长会随着电流变化吗？下面这段话什么意思：
The alpha-prototypes have a wavelength of 927nm at 250mW. Assuming
a shift of 6-8nm to the operating current of 4As, we will be at the lower
end of the 935nm wavelength specification.

没有人里我啊，是不是我的问题很弱啊。

第一个我不清楚，第二个好像太笼统了吧，如果没有稳频措施，半导体激光器的输出波长跟温度有关的，一般随温度升高相长波方向移动

半导体芯片的波长与电流是有关系的，电流越大，波长红移，波长是电流和温度的函数。

多谢各位。那么就是说：a型的芯片在250mW时的波长是925nm，假设在工作电流4A时的波长漂移是6～8nm，就可以满足935nm的指标。

如果我没猜错的话Alpha和Beta是研发的不同阶段，Alpha prototype是最早也是最不完善的产品，可能只是验证一个Idea

LD的波长会随着温度而漂移，电流越大，LD的温度当然越高，良好的温控可以避免这个问题

感谢各位！