SiC、GaN功率半导体市场规模快速成长

　　随着混合动力车、电动车、电源供应装置与太阳能电力转换器(Photovoltaic Inverter)等市场需求不断上扬，预估全球碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)功率半导体市场将由2015年的2.1亿美元，先上扬为2020年的10亿美元以上，然后于2025年飙升至37亿美元。
　　由于碳化矽具有轻量、极硬、耐高温且耐腐蚀等特性，除了被广泛应用在一般工业机械元件外，也被应用在高温、高压、高频、高功率及光电等电子元件领域中。虽然碳化矽萧特基二极体(Schottky diodes)产品上市已超过10年，但近几年碳化矽金氧半场效应电晶体(MOSFET)、接面场效电晶体(JFET)与双极性接面电晶体(BJT)等产品才开始上市。

　　除了现有的碳化矽MOSFET供应业者外，预计未来1年，还会有更多业者加入市场。由于更多业者家加入竞争，以及在售价上能与传统MOSFET竞争的900伏特碳化矽MOSFET产品上市，碳化矽功率半导体产品平均售价已于2015年开始出现下滑。
　　IHS功率半导体资深分析师Richard Eden表示，随着售价的下滑，市场将会加快接纳碳化矽功率半导体产品的步伐。
　　至于氮化镓，该材料原先被用为如蓝色LED等LED类产品的主要原料，但是由于氮化镓也具有高硬度与高能隙(wide bandgap)的特性，因此也被运用在高功率半导体元件中。此外，由于氮化镓功率元件可以在矽基质(silicon substrates)上成长，因此在面积与整体成本考量上，也具有比碳化矽元件更划算的可能性。
　　预计2020年，矽基质氮化镓元件售价会和矽MOSFET，以及矽绝缘栅双极电晶体(IGBT)售价相当。在这种情形下，预估2025年氮化镓功率元件市场规模将会超越6亿美元；当年碳化矽功率元件市场规模则会达到30亿美元。
　　IHS预估，2025年碳化矽MOSFET市场规模将会超越3亿美元，成为仅次于碳化矽萧特基二极体的第二大碳化矽离散功率元件。至于碳化矽FETs与BJTs产品虽然也将获得市场的信赖，但这些元件大多应用在专业或小众产品中，因此规模会远低于碳化矽MOSFET市场。
　　至于结合碳化矽二极管与矽IGBTs所形成的混合式碳化矽功率模组，2015年该产品市场销售额约为3,800万美元，预估2025年销售额会突破10亿美元。