请教关于硅片清洗、腐蚀方面的问题

最近我发现把用HF清洗后的硅片放入80摄氏度，1%的NaOH溶液里腐蚀30分钟比直接放进去腐蚀得减薄量要少0.1~0.2克左右，请问这是为什么？

另外，如何才能把硅片表面清洗的比较干净（即表面没有各种杂质）？

可能是用HF腐蚀以后的表面上非晶态的东西大部分给弄掉了，剩下的晶体是单晶，单晶要减薄比较困难点的缘故

如何才能把硅片表面清洗的比较干净（即表面没有各种杂质）？

比较通用的方法，有机物去除用双氧水和氨水的去离子水混合溶液，也可以用酒精．

　　　　　　　　金属离子，用酸（硫酸、盐酸都行）。

要决：保证时间、温度准确、快进、快出、快排、冲水充分。

另外还涉及到环境的洁净度、净电控制、甩干控制等等众多问题！

谢谢各位的指导！

为什么单晶减薄要比较困难呢？

表面非晶态物质的质量应该不会有0.1~0.2克吧

减薄量为什么会相差这么多呢？

谢谢!
我现在在做多晶硅片用酸腐蚀制作绒面的实验，不知道用哪些酸比较好，相应的配比量是多少，请各位高手指教！

[B]以下是引用[I]风停云静[/I]在2005-4-14 9:11:19的发言：[/B][BR]据我所知：硅表面的绒面腐蚀利用硅晶体的各向异性，腐蚀速度快慢还和晶体结晶方向相关。（111）面比（100）面难腐蚀，因为在这个晶面间的共价键密度要高，这个晶面簇的各晶面连接力更加牢固，因此垂直于此方向上的腐蚀速度就慢。腐蚀速度慢可能还跟腐蚀液的浓度温度相关，是不是可以增加一些。
只是个人看法，仅供参考，欢迎指正。

不错不错！表扬一下！

据我所知：硅表面的绒面腐蚀利用硅晶体的各向异性，腐蚀速度快慢还和晶体结晶方向相关。（111）面比（100）面难腐蚀，因为在这个晶面间的共价键密度要高，这个晶面簇的各晶面连接力更加牢固，因此垂直于此方向上的腐蚀速度就慢。腐蚀速度慢可能还跟腐蚀液的浓度温度相关，是不是可以增加一些。
只是个人看法，仅供参考，欢迎指正。