晶控论谈

我们用到92%就不用了，

我想请问一下，晶片用到有效期过后，清洗再用，一共可清洗几次后晶片就不能再用了，

以下是引用chz321在2004-11-23 23:44:36的发言：

我们用到92%就不用了，

我想请问一下，晶片用到有效期过后，清洗再用，一共可清洗几次后晶片就不能再用了，

理论上只要洗干净可以用多次。

一些日企的经验是返用2次就不用了。他们的返用是返镀，不是简单的清洗。

晶控片返镀一次，就有所磨损。而一批晶片磨损度是很难保证一致的，所以返镀的晶片寿命会产生大的差异。

请问晶控片如何清洗?清洗时应注意些什么呢?请老师教教我!

多谢李伟华，

我还有个问题想问一下，我在书上看过，说晶振片的灵敏度跟温度有关，温度越高灵敏度越低，但书上没说高多少度时灵敏度会降下，那我们用的晶片一般工作温度都在200左右或更高，那是否影响晶片的灵敏度，

以下是引用chz321在2004-11-25 0:08:39的发言：

多谢李伟华，

我还有个问题想问一下，我在书上看过，说晶振片的灵敏度跟温度有关，温度越高灵敏度越低，但书上没说高多少度时灵敏度会降下，那我们用的晶片一般工作温度都在200左右或更高，那是否影响晶片的灵敏度，

晶片有温频特性，即温度变化晶片的频率会产生变化。这种变化量是很微小的，但对膜厚来说这种变化还是有很大的影响。特别是温度骤冷骤热，晶片的频率就会产生的突变。

因此晶控仪探头都加装有冷却水部分。在镀膜过程中，真空室的温度一般都很高，而晶控控头部分的温度相应是低而恒温的。晶片的最佳工作温度是25度+-5度，水温最高应控制60度下。并保持恒定。

晶控片是个很敏感的传感器，控制控头冷却水的温度对稳定膜厚控制和延长晶片寿命是必要的。

我是理论方面的，大家谈谈实际情况。

IC5说明书中确定Z-ratio时，有如下的一段话：

Laboratory results indicate that Z-values of materials in thin-film form are very close to the bulk values.However ,for high stress producing materials,Z-values of thin films are slightly smaller than those of the bulk materials.

请问bulk value中的bulk是啥意思啊？还有high stress producing material是指什么样的材料啊

bulk value是不是容积密度的意思啊？粉尘密度有堆积密度和真密度之分。自然堆积状态下单位体积粉尘的质量，称为粉尘堆积密度(或称容积密度)。密实状态下单位体积粉尘的质量，称为粉尘真密度(或称尘粒密度)。

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