有谁帮忙介绍几种介质薄膜

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发表于 2004-6-8 01:37:00|上海 | 查看全部 阅读模式

有谁帮忙介绍几种介质薄膜,耐压性能大于0.15v/nm 介电常数大于8,谢谢。

回复|共 8 个

ic5 Lv.12 发表于 2004-6-8 17:44:00|江苏 | 查看全部

耐压性能、介电常数这些参数我们没有测量过,不过在红外区的许多薄膜都是介质膜。你是搞薄膜研究的吧,这些东西我们没有测量过,所以帮不到您!

请问你是想用在什么方面?

coatingli Lv.10 发表于 2004-6-8 18:00:00|广东 | 查看全部

掺氟SiO2介电常数值可以达到3.5

用溶胶法形成的多孔薄膜介电常数到2.2

qhbd 楼主Lv.8 发表于 2004-6-8 22:39:00|上海 | 查看全部

谢谢IC5,我想用在一种薄膜耐压器件上,属于薄膜场发射。还用帮助吗?

ic5 Lv.12 发表于 2004-6-9 00:15:00|江苏 | 查看全部

Tqhbd

鄙人才疏学浅,没有接触这样的薄膜,我也帮你打听一下吧,有消息在这里在告诉你!

coatingli Lv.10 发表于 2004-6-9 00:36:00|广东 | 查看全部

qhbd 楼主Lv.8 发表于 2004-6-9 01:37:00|上海 | 查看全部

谢谢coatingli, 我通过电子束、溅射做出的薄膜与文献差很多,能帮帮分析一下吗

1、五氧化二钽溅射MIM结构最多做到0.1v/nm 与文献的0.25v/nm相差很大,电子束蒸发的结果MIM结构直接短路。各种条件下几乎都试过。

2、三氧化二铝电子束蒸发的MIM结构耐压只有0.2v/nm与文献的0.4~0.6v/nm相差也是惊人。几乎各种条件都试过。

各位专家帮忙分析一下,不胜感激!!!

coatingli Lv.10 发表于 2004-6-9 02:06:00|广东 | 查看全部

试试在后工序中延长高温回火时间,并用O离子源轰击膜层。

coatingli Lv.10 发表于 2004-6-9 02:09:00|广东 | 查看全部
最好用反应溅射的方式镀膜,可以用VEECO设备试试

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