目前有人正在大力开发高峰值功率的太赫兹光源

laisai1224

有人利用光束或电子束光刻加工成一种“金属-半导体-金属”的插指型结构，开发了一款特殊设计的光电导太赫兹发射器，从而克服了这些问题。由于在指状结构之间的每一个间隙中电场的符号都会改变，如果将施以插指型偏压的金属条纹排列成简单的阵列，会导致产生的辐射在远场发生相消干涉。因此，将两个电极之间的所有间隙进行间隔掩模是非常重要的（如图1a）。这样，在整个被光辐照的激活区上载流子被单向加速，可以使得产生的太赫兹辐射在远场相干叠加。激活区的尺寸可以达到10mm×10mm2，电极的宽度和间距选定为5µm。这些小间隙确保了利用一个简单的电源供电，就可以轻松地获得每厘米几十千伏量级的加速电场。