荧光寿命与发射截面

请教一个问题，在激光器里面，荧光寿命是不是越大越好，发射截面是不是越大越好？

搞激光器不是种白菜，各种波段有不同的介质，掺杂浓度

萤光寿命、受激发射截面等是介质的特性

不是「越」怎么样就好

客户要1500nm的激光，你搞了个1064㎚的给他
用cw的你给了短脉冲

这样是不行的

简单形象地说，这样的说法是没错的。
荧光寿命越长越有利于从激光介质中提取能量。
发射截面越大，寿命量子效率越高（不知道这样说合不合适）。

但是从能量守恒的角度来看，荧光寿命越长也就意味着粒子吸收的泵浦光越强，这恐怕说明了量子亏损也越大，而量子亏损大也就决定了较低的光光效率。

这说明荧光寿命和发射截面有点鱼和熊掌的关系。

不知道我理解的对不对。

我也来学习下

荧光寿命越长，越有利于能量的累积，对于作为放大器来说，是有利的；对获得大能量的脉冲也是有利的；但是，荧光寿命长，意味着自发辐射效率低，作为谐振腔内的激活介质则不利于降低阈值。

发射截面，或者说叫受激发射截面，越大，越有利于从放大介质提取能量；作为腔内介质，有利于缩短脉冲宽度，但是呢，对Q开关的抑制能力要求就提高了。

不过话说回来，荧光寿命越长，则同时意味着发射截面可能也就相对越小。因为在发射截面较大时，自发辐射会激发受激辐射，形成放大的自发辐射，从而缩短荧光寿命。大概就是这么一个矛盾体吧。

学习了,谢谢!