请教一个问题:
如何计算 半导体在飞秒激光激发下的载流子浓度?
本征GaAs,根据飞秒激光的脉宽、波长等参数如何来确定受激载流子浓度呢
哪位大侠指点一下,或者推荐参考资料
不胜感激
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