德国专业生长半导体可饱和吸收体(可饱和吸收透镜) 专卖店

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德国BATOP公司是一家专门生长半导体可饱和吸收体等半导体光电器件的公司： SESAM半导体可饱和吸收镜 - Semiconductor Saturable absorber mirror, RSAM共振可饱和吸收镜 - Resonant Saturable absorber mirror，SOC可饱和吸收耦合输出镜 - Saturable output coupler)，SLD超发光二极管 - Super luminescent diodes. 其中SESAM，RSAM和 SOC 是用于稳定、自启动的DPSS被动锁模激光器最简单的锁模元件。

裸片 附在铜柱上 附在光纤端

1. SESAM半导体可饱和吸收镜

型号描述：SAM-800-1-X 800-1—中心波长为800nm，饱和吸收率为1%，所有可选波长及饱和吸收率如下：

800（-1，-4）， （R > 99% @750-850nm）， 850（-2，-4，-10，-12）， （R > 99% @810-860nm）， 940（-4，-6）， （R > 99% @910-990nm）， 980（-2，-7，-11，-18）， （R > 99% @910-990nm 或者960-1040nm）， 1040（-1，-2，-3，-4，-5，-6，-10），（R > 99% @1020-1110nm）， 1064（-1，-2，-3，-4，-5，-6，-8，-10，-13），（R > 99% @1020-1110nm）， 1510（-6，-11），（R > 99% @1470-1570nm）， 1550（-1，-2，-3，-8，-10，-30，-50），（R > 99% @1500-1570nm）。

X  ——封装代码

X=0，无封装的裸片 X=12.7g，粘在1/2英寸的铜柱上 X=25.4g，粘在1英寸的铜柱上 X=12.7S，焊在1/2英寸的铜柱上 X=25.4S，焊在1英寸的铜柱上 X=FC/PC，安装在1米长光纤一端，接头类型FC/PC或其他可选

2. RSAM共振可饱和吸收镜

型号描述：RSAM-1064-27-X 1064-27—中心波长为1064nm，饱和吸收率为27%，所有可选波长及饱和吸收率如下：

1064（-27，-47，-80）， （R > 99% @1050-1070nm）。

X    ——封装代码

X=0，无封装的裸片 X=12.7g，粘在1/2英寸的铜柱上 X=25.4g，粘在1英寸的铜柱上 X=12.7S，焊在1/2英寸的铜柱上 X=25.4S，焊在1英寸的铜柱上 X=FC/PC，安装在1米长光纤一端，接头类型FC/PC或其他可选 X=FC/PC with TEC，安装在1米长光纤一端，且带TEC冷却器

3. SOC可饱和吸收耦合输出镜

型号描述：SOC-980-2-X 980-2—中心波长为980nm，饱和吸收率为2%，所有可选波长及饱和吸收率如下：

980（-2，-4）， （R > 99% @960-1020nm）， 1064（-2，-4）， （R > 99% @1040-1100nm）。

X  ——封装代码

X=0，无封装的裸片 X=12.7g，粘在1/2英寸的铜柱上 X=25.4g，粘在1英寸的铜柱上 X=12.7S，焊在1/2英寸的铜柱上 X=25.4S，焊在1英寸的铜柱上 X=FC/PC，安装在1米长光纤一端，接头类型FC/PC或其他可选

4. SANOS可饱和体噪声去除腔

Free space SANOS (FS-SANOS) Fibre coupled SANOS (FC-SANOS)

SANOS可饱和体噪声去除腔的工作原来是利用可饱和吸收体对弱的噪声光有很小的反射率，多强的输出光具有很大的反射率，这样光通过SANOS可饱和体噪声去除腔后就能起到噪声去除的作用。可用于再生放大和脉冲选择以后的噪声光去除。

型号 中心波长 反射系数 损耗 噪声去除率 nm % d B d B FS-SANOS-1064-1 1064 >99 3 14 FS-SANOS-1064-2 1064 >99 6 20 FC-SANOS-15XX 1530-1560 50% 97% FC-SANOS-15XX-TEC 1530-1561 50% 97%

FS-SANOS-1064-1配备了一块饱和吸收体，FS-SANOS-1064-2配备了两块饱和吸收体； FC-SANOS-15XX-TEC是把饱和吸收体附在TEC制冷片上。

德国BATOP可饱和吸收体专家,首选品牌

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Products

	Saturable absorber
	Semiconductor saturable absorber are nonlinear-optical devices with a fast recovery time for optical pulse shaping.
	SAM - Saturable Absorber Mirror SOC - Saturable Output Coupler RSAM - Resonant SAM SANOS - Saturable Noise Suppressor SA - Saturable Absorber		SAM informations SOC informations RSAM informations SANOS informations SA informations	SAM product overview (pdf) SOC product overview (pdf) SA product overview (pdf)
	Photoconductive antenna
	Photoconductive antenna for terahertz emission and detection.
	PCA - Photoconductive Antenna		PCA informations	PCA1 product overview (pdf) PCA2 product overview (pdf) iPCA product overview (pdf)
	Custom devices
	We grow customized semiconductor devices of the material system Al-Ga-In-As on GaAs wafers with 2" and 4" diameter.

SAM 980        laser wavelength high reflection band (R>99%) saturable absorption  relaxation time
SAM 1040        laser wavelength high reflection band (R>99%) saturable absorption  relaxation time
SAM 1064        laser wavelength high reflection band (R>99%) saturable absorption  relaxation time
SAM 1150        laser wavelength high reflection band (R>99%) saturable absorption  relaxation time
SAM 1300        laser wavelength high reflection band (R>99%) saturable absorption  relaxation time
SAM 1550        laser wavelength high reflection band (R>99%) saturable absorption  relaxation time λ = 760 nm λ = 740 - 780 nm A0 = 1 - 5 % τ = 3 ps
λ = 800 nm λ = 780 - 810 nm A0 = 1 - 8 % τ = 10 ps
λ = 940 nm λ = 910 - 990 nm A0 = 2 - 30 % τ = 500 fs
λ = 980 nm λ = 910 – 990 nm A0 = 2 - 20 % τ = 500 fs
λ = 1040 nm λ = 980 .. 1060 nm A0 = 0.7 - 65 % τ = 500 fs / 10 ps
λ = 1064 nm λ = 1030 .. 1100 nm A0 = 0.5 - 70 % τ = 500 fs / 10 ps
λ = 1150 nm λ = 1110 .. 1190 nm A0 = 3 - 6 % τ = 500 fs
λ = 1300 nm λ = 1220 .. 1340 nm A0 = 4 - 12 % τ = 10 ps
λ = 1550 nm λ = 1460 .. 1590 nm  A0 = 1 - 50 % τ = 2 ps / 10 ps