LD发出的激光的偏振态是否恒定？

请教！

FP/DFB芯片发出的线偏振光，它的偏振方向是恒定的还是随机的？是否随发光强度变化而变化？

LD一般都是线偏光。一般来讲，偏振方向指的是电场的振动平面。对于激光二极管，电场的振动方向平行于LD的有源层（active layer）的称为TE模（横电场或p偏振模），而电场振动方向垂直于有源层的称为TM模（横磁场或s偏振模）。LD之所以具有不同的偏振态是跟LD的半导体有源层的掺杂成分相关的，不同的掺杂成分导致有源层的偏振光谱不同，即不同的偏振态具有不同的发射截面，因而阈值差异较大。对一个椭圆光束激光二极管，其偏振方向一般平行于短轴。偏振比是衡量激光偏振度的，但不同类型的LD具有不同的偏振比。例如，一个典型的数值孔径NA为0.4的5mW激光二极管在25度室温时的偏振比约为400:1或500:1，并且随着输出功率的增加，偏振比也会提高。
这是从网上找到的，小功率的LD偏振方向是TE，功率大的LD偏振方向是TM。觉得没有其他的外因，激光的偏振态可能是比较恒定的吧。

说的很详细，谢谢楼上的！

非常感谢楼上的朋友，记录了

LD一般都是线偏光。一般来讲，偏振方向指的是电场的振动平面。对于激光二极管，电场的振动方向平行于LD的有 ...
高欢欢 发表于 2009-10-21 16:37

    多谢，学习了！！！！！！！！！！！！！！！

二楼上的偏振原理介绍部分有错误。决定激光二极管偏振特性的是看TE和TM模式的模式增益那个更大更小，有两个因素：
一、通常的激光器波导本身其TE和TM模式的限制因子就有差别，一般都是TE的大于TM的，所以如果TE和TM偏振的材料增益相同，则TE的模式增益大于TM，偏向于TE模先激射；
二、激光器的有源区现在大多都采用应变量子阱结构，应变导致TE偏振和TM偏振的光增益会有差别。例如一般的GaAs基近红外激光器，压应变会使材料对TE偏振的增益大于TM，而张应变则相反。
考虑到以上两点，如果是通常的脊形波导或者掩埋结构，有源区无应变或者压应变，出光应该是TE模，如果是张应变并且张应变足够大，使得TM和TE偏振的材料光增益差能够补偿并且大于二者限制因子带来的差别，则TM模式增益大于TE，会先激射，如果两个因素综合起来TE和TM模式的增益相同或接近，那就说不好谁会激射了。
有一种偏振无关的半导体光放大器，就是把材料结构调节到TE、TM模式的增益相同。

另外，现在的半导体激光器、LED等发光器件基本没有还用掺杂能级的。

谢谢！
学习了，很有用！！！！

这样我们才能共同进步，提高 ！！！！！！！！

听了大家的解释发现还有很多要学习，以后有问题就来问问大家，多多学习！

参考一下这个帖子：
http://bbs.oecr.com/viewthread.p ... t=LD%2B%C6%AB%D5%F1
[求助]808nmLD的偏振方向

这里确实高人多..........

普通LD发出的激光偏振态都是恒定的，而且以TE偏振居多。