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原文转自“晶艺求精”QQ空间。
晶体问答:
一:填空题
引晶时拉速的最佳范围2-4mm。
晶体发白或变色的原因有真空度不好、拉晶时断氩气、漏油。
坩锅变形的原因有熔料功率太高、坩埚质量不好、拉晶时间过长装料过挤\装料方法。
引晶时籽晶发黑的原因有漏水、真空度不好。
表面棱转向的原因是料内有杂质(棱线偏移一般为晶向偏差较大,和籽晶质量有关)。
温控时液面严重晃动(除气流、机械震动)的原因有连杆和底盘装偏摩擦、连杆下部有料、托身裂和加热器磨擦(伴随打火)、坩埚变形、连杆没上紧(机械部分为磁流体老化或传动皮带损伤\伺服电机损坏等。
放肩时出现晶体断棱,而且形状不规则是晶转和埚转转向相同的原因。
造成晶体变形的原因有拉速过快、液面和导流筒的位置太远、拉第二段时长度没加、转肩时温度没控制好。
等经过程中影响晶体外观直径因素有PID值设定、导流筒尺寸、拉速、温控(埚随比调校)等因素引起。
等经过程中发现埚升无反应是连杆中心轴有杂物卡住,埚升限位到底,控制锅升驱动器造故障等因素引起。
等经过程中发现晶体晃动是氩气流量太大,埚拉太近,气体方向不对,埚转快,机器水平度不好等因素引起。
在料少的情况下,为了防止收尾结晶,需注意补温度不能太快,拉速也不能太快。
二:问答题:
1. 造成漏料的原因有哪些?如何避免?
一: 坩埚质量的问题。
二:装料时操作不当。
三:熔料时操作不当。
四:其它额外因素。
在装料前需仔细检查坩埚,如有较大的气泡及凹点都不能使用。
装料时应把较大料装在中下部(装料大小位置均匀避免翻料),坩埚弧度处也应装表面光滑或有弧度的一些料。
熔料时料下去后坩埚能升起尽量的升起,还有不要长时间的把功率开到很高,料一熔玩立马把功率降下来!长时间会倒至坩埚变形,晰晶等等。
2. 拆炉时以现炉内氧化严重,3. 是何原因引起的?
1:吊渣换气时没换好(挡板密封圈烫坏而引起密封性不好)
2:管道密封圈密封效果不好,漏速快所造成。
3:下排气口堵塞造成排气不畅。
4:真空泵出现故障(大部分为充气式电磁阀损坏、皮带受损、真空泵老化)。
4. 拆炉时托身和托底有硅料粘牢是何原因?
1:坩埚内剩的料太多(淅晶)。
2:熔料或回熔时功率过高,导致硅蒸气散发。
5. 料熔完后因吊渣换气,6. 发生液面漂浮一层无法熔化的物体或仔晶无法熔化,7. 是何原因?
1:炉盖上清炉时氧化物没清理干净。
2:换气时副室密封圈上可能有杂物(或密封圈损坏)导致不密封。或者换气时操作不当。
3:籽晶上没擦干净。
5.如何合理控制转肩的温度和拉速?
1:要看放肩时的快慢,一般转肩时降3格温度左右,拉速在2.5左右。
2:放肩快,转肩时要加点温度和拉速。放肩慢要减点温度和拉速。
3:如果放得比较快的话比原先要早点收肩,反之,如果放得慢的话就比原先慢点收肩(100由于面密度较大,放肩时避免过快)。
6.保证晶体无位错生长,人为操作方面需做哪些工作?
1:清炉时,须按规定操作,尤其是炉盖和炉筒部份。
2:装料时一定要注意工艺卫生,不要沾污料。
3:拉制过程中一定要按照工艺要求来做。
7.拉制N型单晶时,为保证电阻率的准确性,需注意哪些方面?
为避免电阻率偏移,要求:首先确定掺杂剂材料并确定材料特性,一般掺p和母合金投放位置在底部,挥发可忽略。但拉制时避免回熔次数,每增加一次回熔偏移增大!掺sb或As则料化完后投掺杂剂,而且随成晶时间长短需定时补掺!关于电阻率梯度和p型一样。
8.拉晶数据为0时,如何处理及操作?
瞬间关闭CPU,然后打开电脑重新启动,把氩气设定为45ML
在检查下陆游器的电源线和CPU及电脑上的连线是否接触不好。
9.如发现有漏料情况,需如何处理及操作?
投料前确保单晶炉防爆阀状态良好!
据漏硅速度,迅速停加热,氩气、真空不要停!如果坩埚可升降则迅速升至量高限,同时停止埚转。
准备灭火器至炉台下方,确保烧穿波纹管后不能引起火灾。
如果漏硅速度很快,则停加热后紧急疏散。
漏硅时万不可向炉内观望!防止事故引起人身伤害.
三:计算题
等经过程中,如何计算埚升行程的准确性,写出计算公式?
答:设拉速为L,晶体密度为M,液体密度为m,坩埚内径为D,晶体直径为d.
公式:
80KG投料,6″与8″等经长度如何计算?(头尾与埚底料去除8KG,单位mm)
答:6″
8″
计算引晶埚位,需记录哪些数据?如何计算?(引晶埚位定为液面至导流筒20mm)
答:设平口锅位:105mm 导流筒进加热器:75mm 液面至坩埚口的距离:130mm 坩埚高出托身15mm
105+130-15=220mm
220-75-20=125mm
20″热场80KG投料液面至坩埚口距离为130mm,请计算出105KG投料液面至坩锅口的距离?(石英坩埚厚10mm)
答:105-80=25KG
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