半导体微电子传感器技术
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  • 2009-11-4
    2009年10月16日,欧盟委员会非食品类快速预警系统(RAPEX)对产自中国的锂电池发出消费者警告。本案的通报国为英国。此次通报涉及的锂电池序列号范围系PBI23456773500161至PBI23456774303460,主要应用在Advent and EiSystem系列笔记本上。 通报原因是由于该产品存在过热的问题,因此可能引发火灾或烧伤使用者,而且还可能 ...
  • 2011-1-26
    近日举行的Common Platform 2011技术大会上,IBM领衔的通用技术联盟各自介绍了其半导体制造工艺的最新进展,蓝色巨人自己更是拿出了全世界第一块采用20nm工艺的晶圆。据介绍,这块晶圆不但使用了业界领先的20nm LP HKMG(低功耗高K金属栅极)制造工艺,还引入了Gate-Last技术,简单地说就是在对硅片进行漏/源区离子注入操作 ...
  • 2011-2-9
    IBM声称,从2011年起,硅芯片将迈向以光脉冲而非电荷来进行沟通。该公司于12月1日在日本举行的Semicon Japan展会上,透露了其CMOS集成硅纳米光子(CMOS Integrated Silicon Nanophotonics,CISN)技术的细节。 在该展会上,IBM预言硅纳米光子将是实现未来“exascale”等级处理器的推手,可能达到每秒1018次运作的水平。“IB ...
  • 2011-2-9
    晶体管制造一般是用玻璃作基底材料,这有利于在多变的环境下保持稳定,从而保证用电设备所需的电流。据美国物理学家组织网1月27日报道,美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管,性能极为稳定,还能在可控的环境中,以低于150摄氏度的条件在塑料基底上大量生产,因此可用于柔韧可弯曲的塑料电子设备 ...
  • 2011-2-9
    三星公司宣布自己将成为市场上首家推出“30nm级别“DDR3内存芯片产品的公司时,UBM TechInsights网站的分析师便开始焦急地等待对这款产品的实物进行分析的机会,如今他们终于得偿所愿,得到了三星这款编号为 K4B2G0846D的芯片产品实物。话题的焦点基本聚集在验证韩国人”30nm级别“的说法是否有理有据,他们的产品又是如何 ...
  • 2011-2-9
    “随着我们的芯片变得越来越小、越来越快,越来越接近当前制造工艺的极限,微处理器领域的调查者们一直在寻找制造芯片的新材料。石墨烯本来有希望的,可是 最近有调查显示,它不适合代替硅作为制造CPU的材料。这是因为石墨烯的能量级之间差值太小,即意味着用它制作的晶体管无法实现01转换。当然也可能有一些我们尚未找到的 ...
  • 2011-2-10
    光刻技术目前研究的热点是将光刻光源的波长推向极短波长,而美国马里兰大学的一个研究小组则在研究一种基于可见光波长的多光子光阻胶技术,这种光刻技术可以实现纳米级的光刻解析度,其解析度与曝光时间成反比。 该小组的成员John Fourkas教授表示:“目前大多数以提高解析度为目的的方案都采用的是短波长光源技术,而我 ...
  • tlx
    2011-2-11
    电子显微镜下的纳米微片 由英国、美国和韩国研究人员组成的一国际研究小组宣称,他们发明了一种新方法,可快速、高效地将石墨等特殊材料制成只有一个原子厚的纳米微片,该方法成本低廉,并可进行规模化工业生产,有可能导致一场新电子和储能技术革命。相关成果刊发在最近一期《科学》杂志上。 石墨烯是近些年来材料 ...
  • 2011-2-11
    由于科学家首次直接在硅片上制造出纳米级激光器,人们向将激光器和电子设备整合的艰难目标迈进了一步。这些微小的激光器是用化合物半导体制造的。这些半导体能以远胜硅片的效率发光。 将光学处理过程同电子芯片结合为发展高速计算能力提供了条件。电子设备善于处理信息,因为电子相互之间有着很强的作用力。然而,当电 ...
  • 2011-2-11
    日本研究人员日前宣布,他们在世界上首次开发出了通过涂抹液体硅形成非晶硅薄膜,进而生产太阳能电池的技术。新技术将有助于降低薄膜太阳能电池的成本。 硅是制造手机、液晶和太阳能电池的重要原料。目前多用固态和气态的硅材料制造太阳能电池,但是加工固态和气态的硅材料成本较高,所需时间也较长。 北陆尖端科学技 ...
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