美国IBM开发出了截止频率为100GHz的石墨烯FET（场效应晶体管）。该公司在2010年2月5日的学术杂志《Science》上发表了论文。该产品的截止频率比采用Si技术、栅极长度相同的MOSFET的最大值还要大2.5倍，“预计还会进一步提高”（IBM）。该公司称，制造技术也能够在近未来达到实用水平。 石墨烯是一种将碳原子连接成6角形网 ...

松下宣布开发出在Graphite（石墨）底板上生长高质量GaN结晶薄膜的技术，并大致探明了其生长原理。这是松下在长崎大学举办的第71届应用物理学会学术演讲会上公布的。 GaN以往一般是在蓝宝石底板或者GaN底板上外延生长。但是蓝宝石底板和GaN底板的价格较高，而且1枚底板的面积有限。松下“希望在太阳能电池及大型显示器等大 ...

如果说摩托罗拉的Xoom在CES 2011中已经成为最具明星气质的平板产品实在不为过，强大的配置以及Google为平板机开发的专用Android 3.0蜂窝系统都为其增加了耀眼的光环，不过在这些光环下，Xoom还有一个的特点已经被忽视。在摩托罗拉的开发者页面中，摩托罗拉给出了Xoom的详细配置，其中传感器芯片中竟然出现了气压感应装置 ...

据科学时报报道，保护边境、管道、地下电缆和关键基础设施免遭意外损坏和恶意破坏往往由于距离远、规模大而面临很多困难。如今，英国工程技术人员开发出了一种地下电缆光纤感应系统，从而有效地解决了这一难题。 该系统最长距离为40公里，既可以利用现有光导纤维，也可以另外铺设安装，能够同时发现多点干扰，精确度可以达 ...

据IC Insight市调公司的调查数据显示，销售额预计将超过10亿美元的芯片设计公司数量今年已达13家，其排名按销售额从高到底排列顺序则依次为(单位十亿美元)：IC Insight评估一家公司是否是芯片设计公司的标准是这家公司的成品是否主要由代工商生产。 1-高通(Qualcomm)： 7.1 2-博通(Broadcom)： 6.5 3-AMD :6.5 4-联发科 ...

　FPGA可以让产品设计人员自由改写逻辑。由于FPGA无需在写入电路信息时使用掩模，因此与使用ASIC时相比，设备厂商可以大幅削减开发费用。日本国内外设备厂商着眼于此，纷纷开始采用FPGA。 　　在此背景下，FPGA业界在2010年出现了许多采用28nm级制造工艺的新技术。打头阵的是美国阿尔特拉（Altera）。该公司在2010年2月发 ...

2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 2010年1月，SEMI公布了关于铜引线键合的调查结果。调查结果显示，有41％的半导体厂商使用铜引线键合。封装技术相关展会“NEPCON JAPAN 20 ...

ARM 和 x86 两大架构在当前分别主宰了高阶和低阶手机市场，而且正将竞争领域延伸到了一些中阶融合设备，如电子书阅读器(e-reader)、平板装置(tablet)和上网本(netbook)。然而，市场上还存在着其它架构，如 MIPS 和 SH ，这些处理器也同样瞄准移动应用，因而在未来，使用特定处理器或指令集或许不再那么重要了。 那么，什么 ...

对于何时替换体硅晶圆上的平面CMOS晶体管结构，技术人员已经争论了很久。现在，向新器件结构的转换已经启动，在15 nm技术路线图上，IBM和英特尔已经确认了全耗尽CMOS结构，而一些其他的垂直晶体管结构也得到了极大重视。 英特尔负责工艺架构和集成的主管Mark Bohr介绍说，他在英特尔的同事们对“将部分耗尽（PD）CMOS结构 ...

随着器件的不断等比例微缩，各种晶体管元件的距离和尺寸都越来越小，这为降低漏电流带来了很多集成挑战。镍硅化物（NiSi）接触层则特别关键，其原因是接触区域与源/漏扩展层(SDE)之间距离太短，增加了管状缺陷延伸并进入沟道的几率，结果会形成漏电通道并妨碍成品率（图1）.采用先进的退火技术已经被证明是有效并且低成本的 ...