CMOS技术将迎来转折点，开始从15nm工艺向立体晶体管过渡

逻辑LSI的基本元件——CMOS晶体管的发展估计将在2013年前后15nm工艺达到量产水平时迎来重大转折点。将由现行的平面型晶体管向具备三维沟道的立体型晶体管过渡。美国英特尔及台湾台积电（TSMC）等知名半导体厂商均已开始表现出这种技术意向。LSI的制造技术发生巨变之后，估计也会对各公司的微细化竞争带来影响。

元件材料及曝光技术也会出现转折

　　“估计一多半的半导体厂商都会在15nm工艺时向FinFET过渡”（英特尔）。“在20nm以后的工艺中，立体晶体管不可或缺”（台积电）。各公司此前从未对现行晶体管技术的界限作出过这样的断言。这是因为各企业认识到现行技术无法解决漏电流増大等问题。另外，各公司目前瞄准11nm以后的工艺，正在开发使用Ge及Ⅲ-V族半导体的高迁移率沟道技术。估计此前主要以硅为对象的材料技术早晚也会迎来重大转变。

　　关于对微细化起到关键作用的光刻技术，EUV曝光及EB曝光等新技术正不断走向实用化。目前已相继出现为生产线引进曝光装置并形成15nm以后微细图案的事例。（记者：大下 淳一）


  
22nm以后工艺将成为微细化开发的舞台
各知名半导体厂商已开始正式面向2011年前后开始量产的22nm以后工艺进行微细化开发。估计到15～14nm工艺时逻辑LSI的基本元件——CMOS晶体管将会改为立体构造（a）。光刻技术方面，EUV曝光与EB曝光技术的开发步伐正在加快（b，c）。（图：（b）和（c）为台积电的图片）