双层多晶硅(单层机械结构)表面牺牲层工艺的版图层定义

双层多晶硅(单层机械结构)表面牺牲层工艺的版图层定义和设计规则(草案)

为了使表面牺牲层MEMS设计标准化，利用ICCAD根据进行版图设计规则的自动检查，并更有利于重点实验室的对外开放，我们根据我所的工艺条件及表面牺牲层工艺的特点，制定出该设计规则。表面牺牲层的工艺研究尚在进行中，根据工艺结构，设计规则还会进行相应的修改。

层
用于形成MEMS结构的版图层共有六层，具体内容显示于表1，其中所列各层均已在ICCAD工具COMPASS和CADENCE中建立。掩膜版的阴阳依据正胶所定。

层描述
1．GPLT
该掩膜版用来定义第一层多晶硅的图形。用来提供机械层的电学连接，地极板或屏蔽电极。
2.CNTC
对覆盖在GPLT上的Si3N4成图，主要用来检测机械层与硅片的接触情况。如不需要检测，可不选。
3.BUMP
在牺牲层上形成凹槽(~2000A)，使得以后形成的多晶硅机械层上出现小突起，减小在释放过程或工作过程机械层与衬底的接触面积，起一定的抗粘附作用。
4.ANCH
在牺牲层上刻孔至GPLT，形成机械层在衬底上的支柱，并提供电学连接。
5.INTC
形成Al金属互连线。
6.BEAM
用来形成多晶硅机械结构。我们目前工艺中采用2厚的多晶硅和1.6厚的牺牲层。

详细请见附件：
1-10100H02042.rar (19.15 KB, 下载次数: 0, 售价: 5 元光电贝)

2010-10-19 09:33 上传

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